International Rectifier IRF7809AV IRF7809AVTRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 14,6 A 2,5 W, 8-Pin SO
: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.3V, Höhe: 1.: 9 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: ±12 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.