Infineon OptiMOS 3 BSC900N20NS3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 15,2 A 62,5 W, 8-Pin TDSON
About The 1mm.: -20 V, +20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1
Infineon OptiMOS 3 BSC900N20NS3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 15,2 A 62,5 W, 8-Pin TDSON, Drain-Source-Widerstand max.: 90 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V, Höhe: 1.1mm, Länge: 6.1mm
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon OptiMOS 3 BSC900N20NS3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 15,2 A 62,5 W, 8-Pin TDSON
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Specifications of Infineon OptiMOS 3 BSC900N20NS3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 15,2 A 62,5 W, 8-Pin TDSON | |
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