Infineon HEXFET IRF2804PBF N-Kanal, THT MOSFET 40 V / 280 A 330 W, 3-Pin TO-220
About The : -20 V, +20 V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Höhe: 9.: 2 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max
Infineon HEXFET IRF2804PBF N-Kanal, THT MOSFET 40 V / 280 A 330 W, 3-Pin TO-220, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 2 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Höhe: 9.02mm
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon HEXFET IRF2804PBF N-Kanal, THT MOSFET 40 V / 280 A 330 W, 3-Pin TO-220
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Specifications of Infineon HEXFET IRF2804PBF N-Kanal, THT MOSFET 40 V / 280 A 330 W, 3-Pin TO-220 | |
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