Vishay SI4835DDY-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 10,5 A 5,6 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 30 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –25 V, +25 V, Höhe: 1.55mm
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Vishay SI4835DDY-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 10,5 A 5,6 W, 8-Pin SOIC
Specifications of Vishay SI4835DDY-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 10,5 A 5,6 W, 8-Pin SOIC | |
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