Vishay SQ4920EY-T1_GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 8 A 4,4 W, 8-Pin SOIC
About The : 17,5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1
Vishay SQ4920EY-T1_GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 8 A 4,4 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 17,5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1.5V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 5mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay SQ4920EY-T1_GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 8 A 4,4 W, 8-Pin SOIC
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Specifications of Vishay SQ4920EY-T1_GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 8 A 4,4 W, 8-Pin SOIC | |
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