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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
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Infineon 4MBit SRAM 256k, 16bit / Wort

About The Infineon 4MBit SRAM 256k, 16bit / Wort, Organisation: 256 K x 16, MPN: CY62147EV30LL-45ZSXI

Infineon 4MBit SRAM 256k, 16bit / Wort, Organisation: 256 K x 16, MPN: CY62147EV30LL-45ZSXI

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Speicherbausteine > SRAM

Infineon 4MBit SRAM 256k, 16bit / Wort

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Specifications of Infineon 4MBit SRAM 256k, 16bit / Wort

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Infineon 4MBit SRAM 256k, 16bit / Wort
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Halbleiter
Speicherbausteine

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Molex Flachbandkabel FFC, 30-adrig, Raster 0.5mm
  • Elektromechanik & Automation und Kabel
  • Kabel und Drähte
  • Platinen-Verbindungskabel und Flachbandkabel
  • Flachbandkabel
  • Molex
    • Molex Flachbandkabel FFC, 36-adrig, Raster 0.5mm
  • Elektromechanik & Automation und Kabel
  • Kabel und Drähte
  • Platinen-Verbindungskabel und Flachbandkabel
  • Flachbandkabel
  • Molex
    • Infineon FRAM-Speicher 2MB, 256 K x 8 Seriell-SPI SOIC 8-Pin

    Infineon FRAM-Speicher 2MB, 256 K x 8 Seriell-SPI SOIC 8-Pin

    Infineon FRAM-Speicher 2MB, 256 K x 8 Seriell-SPI SOIC 8-Pin, Datenbus-Breite: 8bit, MPN: CY15B102QN-50SXE.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
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  • FRAM
  • Infineon
    • Yageo Dickschicht SMD Festwiderstand 560kΩ ± 1.0% / 125mW, 0805 (2012M) Gehäuse

    Yageo Dickschicht SMD Festwiderstand 560kΩ ± 1.0% / 125mW, 0805 (2012M) Gehäuse

    0% / 125mW, 0805 (2012M) Gehäuse, MPN: RC0805FR-07560KL.Yageo Dickschicht SMD Festwiderstand 560kΩ ± 1.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Passive Bauelemente
  • Festwiderstände
  • SMD-Widerstände
  • Yageo
    • Yageo Dickschicht SMD Festwiderstand 560kΩ ± 1.0% / 125mW, 0805 (2012M) Gehäuse

    Yageo Dickschicht SMD Festwiderstand 560kΩ ± 1.0% / 125mW, 0805 (2012M) Gehäuse

    0% / 125mW, 0805 (2012M) Gehäuse, MPN: RC0805FR-07560KL.Yageo Dickschicht SMD Festwiderstand 560kΩ ± 1.

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