Onsemi NVMFS5H663NLT1G N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 67 A 63 W, 5-Pin DFN
About The : 10 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.onsemi NVMFS5H663NLT1G N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 67 A 63 W, 5-Pin DFN, Drain-Source-Widerstand max
onsemi NVMFS5H663NLT1G N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 67 A 63 W, 5-Pin DFN, Drain-Source-Widerstand max.: 10 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Automobilstandard: AEC-Q101
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Onsemi NVMFS5H663NLT1G N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 67 A 63 W, 5-Pin DFN
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Specifications of Onsemi NVMFS5H663NLT1G N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 67 A 63 W, 5-Pin DFN | |
|---|---|
| Category | |
| Instock | instock |
