Vishay SI7149ADP-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 18 A 48 W, 8-Pin PowerPAK SO-8
About The : 9,5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.99mm, Betriebstemperatur max
Vishay SI7149ADP-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 18 A 48 W, 8-Pin PowerPAK SO-8, Drain-Source-Widerstand max.: 9,5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1.2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –25 V, +25 V, Länge: 5.99mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay SI7149ADP-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 18 A 48 W, 8-Pin PowerPAK SO-8
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Specifications of Vishay SI7149ADP-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 18 A 48 W, 8-Pin PowerPAK SO-8 | |
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