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Toshiba DTMOSIV-H TK62N60X,S1F(S N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 61,8 A 400 W, 3-Pin TO-247

About The .Toshiba DTMOSIV-H TK62N60X,S1F(S N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 61,8 A 400 W, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max

Toshiba DTMOSIV-H TK62N60X,S1F(S N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 61,8 A 400 W, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.: 40 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.5V, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 15.94mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

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Toshiba DTMOSIV-H TK62N60X,S1F(S N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 61,8 A 400 W, 3-Pin TO-247

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Specifications of Toshiba DTMOSIV-H TK62N60X,S1F(S N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 61,8 A 400 W, 3-Pin TO-247

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