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Infineon IRF1104PBF N-Kanal, THT MOSFET 40 V / 100 A TO-220AB

About The Infineon IRF1104PBF N-Kanal, THT MOSFET 40 V / 100 A TO-220AB

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Specifications of Infineon IRF1104PBF N-Kanal, THT MOSFET 40 V / 100 A TO-220AB

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Infineon IRF1104PBF N-Kanal, THT MOSFET 40 V / 100 A TO-220AB
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Nexperia SMD Gleichrichter & Schottky-Diode, 100V / 20A CFP15B

Nexperia SMD Gleichrichter & Schottky-Diode, 100V / 20A CFP15B

Nexperia SMD Gleichrichter & Schottky-Diode, 100V / 20A CFP15B, Diodenkonfiguration: Einfach, MPN: PMEG100T200ELPEZ.

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    Infineon IRF2804STRLPBF N-Kanal, THT MOSFET 40 V / 270 A TO-262.

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    • FAG Selbstausrichtendes Kugellager Kugellager 2-reihig, Innen-Ø 65mm / Außen-Ø 120mm, Breite 31mm Offene Bauweise

    FAG Selbstausrichtendes Kugellager Kugellager 2-reihig, Innen-Ø 65mm / Außen-Ø 120mm, Breite 31mm Offene Bauweise

    FAG Selbstausrichtendes Kugellager Kugellager 2-reihig, Innen-Ø 65mm / Außen-Ø 120mm, Breite 31mm Offene Bauweise, Lagerspiel: C3, Material: Stahl, Käfigmaterial: Polyamid, Statische Traglast: 19.

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    • KEMET, X FT-CAP, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator X7R, 10μF ±20% / 6.3V dc, Gehäuse 0805 (2012M), AEC-Q200

    KEMET, X FT-CAP, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator X7R, 10μF ±20% / 6.3V dc, Gehäuse 0805 (2012M), AEC-Q200

    : +125°C, Betriebstemperatur min.3V dc, Gehäuse 0805 (2012M), AEC-Q200, Kapazität: 10µF, Spannung: 6.: -55°C, MPN: C0805X106M9RACAUTO.3V dc, Montageart: Oberflächenmontage, Abmessungen: 2 x 1.

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    KEMET, X FT-CAP, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator X7R, 10μF ±20% / 6.3V dc, Gehäuse 0805 (2012M), AEC-Q200

    : +125°C, Betriebstemperatur min.3V dc, Montageart: Oberflächenmontage, Abmessungen: 2 x 1.

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