Onsemi QFET FQPF47P06 P-Kanal, THT MOSFET 60 V / 30 A 62 W, 3-Pin TO-220F
About The : –25 V, +25 V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Höhe: 9.: 26 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min
onsemi QFET FQPF47P06 P-Kanal, THT MOSFET 60 V / 30 A 62 W, 3-Pin TO-220F, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 26 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –25 V, +25 V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Höhe: 9.19mm, Länge: 10.16mm
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Onsemi QFET FQPF47P06 P-Kanal, THT MOSFET 60 V / 30 A 62 W, 3-Pin TO-220F
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Specifications of Onsemi QFET FQPF47P06 P-Kanal, THT MOSFET 60 V / 30 A 62 W, 3-Pin TO-220F | |
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