Infineon DirectFET IRF7946TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 198 A 96 W DirectFET ISOMETRISCH
About The : 1,4 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3
Infineon DirectFET IRF7946TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 198 A 96 W DirectFET ISOMETRISCH, Drain-Source-Widerstand max.: 1,4 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.9V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.2V, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 6.35mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, Gate-Ladung typ. @ Vgs: 141 nC @ 20 V
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon DirectFET IRF7946TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 198 A 96 W DirectFET ISOMETRISCH
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