Onsemi NVMFS6H824NT1G N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 103 A 115 W, 5-Pin DFN
About The : +175 °C.: 4,5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max
onsemi NVMFS6H824NT1G N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 103 A 115 W, 5-Pin DFN, Drain-Source-Widerstand max.: 4,5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Länge: 5.1mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Onsemi NVMFS6H824NT1G N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 103 A 115 W, 5-Pin DFN
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Specifications of Onsemi NVMFS6H824NT1G N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 103 A 115 W, 5-Pin DFN | |
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