Infineon OptiMOS BSC052N03LSATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 57 A 28 W, 8-Pin TDSON
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Infineon OptiMOS BSC052N03LSATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 57 A 28 W, 8-Pin TDSON, Drain-Source-Widerstand max.: 7,2 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 6.1mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon OptiMOS BSC052N03LSATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 57 A 28 W, 8-Pin TDSON
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Specifications of Infineon OptiMOS BSC052N03LSATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 57 A 28 W, 8-Pin TDSON | |
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