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ROHM N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 4 A, 3-Pin TO-252

About The ROHM N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 4 A, 3-Pin TO-252, Channel-Modus: Enhancement, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: R6004END3TL1

ROHM N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 4 A, 3-Pin TO-252, Channel-Modus: Enhancement, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: R6004END3TL1

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ROHM N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 4 A, 3-Pin TO-252

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Specifications of ROHM N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 4 A, 3-Pin TO-252

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OPTIBELT Starre Wellenkupplung Bohrung 14mm Aussen ø 40mm

OPTIBELT Starre Wellenkupplung Bohrung 14mm Aussen ø 40mm

OPTIBELT Starre Wellenkupplung Bohrung 14mm Aussen ø 40mm, Kupplungstyp: Klemmkupplung, Material: Stahl brüniert, MPN: CC214S00ZA.

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    • TE Connectivity C10 Wickel Widerstand 33Ω ±5% / 10W

    TE Connectivity C10 Wickel Widerstand 33Ω ±5% / 10W

    TE Connectivity C10 Wickel Widerstand 33Ω ±5% / 10W, Technologie: Gewickelt, MPN: C1033RJL.

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    • TE Connectivity Dünnschicht SMD Festwiderstand 0.1% / 0.5W, 0603 (1608M) Gehäuse

    TE Connectivity Dünnschicht SMD Festwiderstand 0.1% / 0.5W, 0603 (1608M) Gehäuse

    TE Connectivity Dünnschicht SMD Festwiderstand 0.1% / 0.5W, 0603 (1608M) Gehäuse, MPN: RA73F1J100RBTDF.

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    TE Connectivity Dünnschicht SMD Festwiderstand 0.1% / 0.5W, 0603 (1608M) Gehäuse

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