Onsemi PowerTrench FDS3890 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 80 V / 4,7 A 1,6 W, 2 W, 8-Pin SOIC
About The : 82 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.9mm, Betriebstemperatur max
onsemi PowerTrench FDS3890 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 80 V / 4,7 A 1,6 W, 2 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 82 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 4.9mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Onsemi PowerTrench FDS3890 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 80 V / 4,7 A 1,6 W, 2 W, 8-Pin SOIC
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Specifications of Onsemi PowerTrench FDS3890 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 80 V / 4,7 A 1,6 W, 2 W, 8-Pin SOIC | |
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