Infineon OptiMOS T2 IPD100N04S402ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 100 A 150 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
About The : 2 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: +175 °C
Infineon OptiMOS T2 IPD100N04S402ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 100 A 150 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 2 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 6.73mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C
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Infineon OptiMOS T2 IPD100N04S402ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 100 A 150 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
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Specifications of Infineon OptiMOS T2 IPD100N04S402ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 100 A 150 W, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
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