Vishay E Series N-Kanal, THT MOSFET 850 V / 3 A, 3-Pin TO-220 FP
About The Vishay E Series N-Kanal, THT MOSFET 850 V / 3 A, 3-Pin TO-220 FP, Drain-Source-Widerstand max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: SiHA5N80AE-GE3
Vishay E Series N-Kanal, THT MOSFET 850 V / 3 A, 3-Pin TO-220 FP, Drain-Source-Widerstand max.: 1,35 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: SiHA5N80AE-GE3
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Vishay E Series N-Kanal, THT MOSFET 850 V / 3 A, 3-Pin TO-220 FP
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Specifications of Vishay E Series N-Kanal, THT MOSFET 850 V / 3 A, 3-Pin TO-220 FP | |
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