Infineon HEXFET IRFU120NPBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 9,4 A 48 W, 3-Pin IPAK (TO-251), Drain-Source-Widerstand max.: 210 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 6.6mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C
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Infineon HEXFET IRFU120NPBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 9,4 A 48 W, 3-Pin IPAK (TO-251)
Specifications of Infineon HEXFET IRFU120NPBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 9,4 A 48 W, 3-Pin IPAK (TO-251) | |
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