Vishay E Series N-Kanal Dual, SMD MOSFET 650 V / 32 A, 4-Pin PowerPAK 8 X 8
About The : 0,08 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.Vishay E Series N-Kanal Dual, SMD MOSFET 650 V / 32 A, 4-Pin PowerPAK 8 x 8, Drain-Source-Widerstand max
Vishay E Series N-Kanal Dual, SMD MOSFET 650 V / 32 A, 4-Pin PowerPAK 8 x 8, Drain-Source-Widerstand max.: 0,08 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: SiHH080N60E-T1-GE3
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay E Series N-Kanal Dual, SMD MOSFET 650 V / 32 A, 4-Pin PowerPAK 8 X 8
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Specifications of Vishay E Series N-Kanal Dual, SMD MOSFET 650 V / 32 A, 4-Pin PowerPAK 8 X 8 | |
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