IXYS HiperFET IXFK120N65X2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 120 A 1,25 KW, 3-Pin UM-264P
About The : 24 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Gate-Schwellenspannung min
IXYS HiperFET IXFK120N65X2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 120 A 1,25 kW, 3-Pin UM-264P, Drain-Source-Widerstand max.: 24 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±30 V, Länge: 20.3mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
IXYS HiperFET IXFK120N65X2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 120 A 1,25 KW, 3-Pin UM-264P
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Specifications of IXYS HiperFET IXFK120N65X2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 120 A 1,25 KW, 3-Pin UM-264P | |
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