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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Halbleiter
Stromversorgung
Motor-Treiber ICs
Renesas Electronics

Renesas Electronics Motor Driver IC 3-phasig RAJ306001GNP#AAN, QFN, 64-Pin, 30mA, 30 V, BLDC, Halbbrücke

About The Renesas Electronics Motor Driver IC 3-phasig RAJ306001GNP#AAN, QFN, 64-Pin, 30mA, 30 V, BLDC, Halbbrücke, Montage-Typ: SMD

Renesas Electronics Motor Driver IC 3-phasig RAJ306001GNP#AAN, QFN, 64-Pin, 30mA, 30 V, BLDC, Halbbrücke, Montage-Typ: SMD

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Renesas Electronics Motor Driver IC 3-phasig RAJ306001GNP#AAN, QFN, 64-Pin, 30mA, 30 V, BLDC, Halbbrücke

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Specifications of Renesas Electronics Motor Driver IC 3-phasig RAJ306001GNP#AAN, QFN, 64-Pin, 30mA, 30 V, BLDC, Halbbrücke

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Renesas Electronics Motor Driver IC 3-phasig RAJ306001GNP#AAN, QFN, 64-Pin, 30mA, 30 V, BLDC, Halbbrücke
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Halbleiter
Stromversorgung

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IXYS MOSFET Treiber 8-Pin SOIC

IXYS MOSFET Treiber 8-Pin SOIC

IXYS MOSFET Treiber 8-Pin SOIC, MPN: IXDD609SIATR.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Halbleiter
  • Stromversorgung
  • Gate-Treiber
  • IXYS
    • Wurth Elektronik WE-PD Drosselspule, 39 μH 4.1A 12mm / ±20%, 6MHz

    Wurth Elektronik WE-PD Drosselspule, 39 μH 4.1A 12mm / ±20%, 6MHz

    : +125°C, Betriebstemperatur min.: -40°C, MPN: 7447709390.1A 12mm / ±20%, 6MHz, Höhe: 10mm, Abmessungen: 12 x 12 x 10mm, Geschirmt: Ja, Gleichstromwiderstand max.: 56mΩ, Betriebstemperatur max.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Passive Bauelemente
  • Induktivitäten
  • SMD-Induktivität
  • Wurth Elektronik
    • SKF Keilriemen, 3 V-Profil 10mm x 1270mm

    SKF Keilriemen, 3 V-Profil 10mm x 1270mm

    SKF Keilriemen, 3 V-Profil 10mm x 1270mm, Riementyp: Endlicher Riemen, MPN: PHG 3VX500EP.

  • Mechanik & Fluidtechnik und Werkzeuge
  • Mechanische Kraftübertragung
  • Riemen und Riemenscheiben
  • V- und Keilriemen
  • SKF
    • TE Connectivity CRGS Dickschicht SMD-Widerstand 8.2MΩ ±5% / 0.5W ≤±100ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse

    TE Connectivity CRGS Dickschicht SMD-Widerstand 8.2MΩ ±5% / 0.5W ≤±100ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse

    : -55°C, Betriebstemperatur max.TE Connectivity CRGS Dickschicht SMD-Widerstand 8.5W ≤±100ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Passive Bauelemente
  • Festwiderstände
  • SMD-Widerstände
  • TE Connectivity
    • TE Connectivity CRGS Dickschicht SMD-Widerstand 8.2MΩ ±5% / 0.5W ≤±100ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse

    TE Connectivity CRGS Dickschicht SMD-Widerstand 8.2MΩ ±5% / 0.5W ≤±100ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse

    2MΩ ±5% / 0.: -55°C, Betriebstemperatur max.TE Connectivity CRGS Dickschicht SMD-Widerstand 8.5W ≤±100ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.

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  • Passive Bauelemente
  • Festwiderstände
  • SMD-Widerstände
  • TE Connectivity