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Infineon OptiMOS N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 105 A, 8-Pin PQFN 3 X 3

About The Infineon OptiMOS N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 105 A, 8-Pin PQFN 3 x 3, MPN: BSZ040N04LSGATMA1

Infineon OptiMOS N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 105 A, 8-Pin PQFN 3 x 3, MPN: BSZ040N04LSGATMA1

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Specifications of Infineon OptiMOS N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 105 A, 8-Pin PQFN 3 X 3

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Infineon OptiMOS N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 105 A, 8-Pin PQFN 3 X 3
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RS PRO Ringkerntransformator, Primär 115 V ac, 230 V ac / Sekundär 2 x 18V ac, 50VA 2 Ausg., 1.389A 740g 80 (Dia.) x
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    • onsemi PowerTrench FDMA910PZ P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 9,4 A 2,4 W, 6-Pin MicroFET 2 x 2

    onsemi PowerTrench FDMA910PZ P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 9,4 A 2,4 W, 6-Pin MicroFET 2 x 2

    onsemi PowerTrench FDMA910PZ P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 9,4 A 2,4 W, 6-Pin MicroFET 2 x 2, Drain-Source-Widerstand max.4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.

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    • Vishay MRS25 Dünnschicht Widerstand 3.3MΩ ±1% / 0.6W

    Vishay MRS25 Dünnschicht Widerstand 3.3MΩ ±1% / 0.6W

    3MΩ ±1% / 0.Vishay MRS25 Dünnschicht Widerstand 3.

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    • onsemi KSE13003H2ASTU THT, NPN Transistor 400 V / 1,5 A, TO-126 3-Pin

    onsemi KSE13003H2ASTU THT, NPN Transistor 400 V / 1,5 A, TO-126 3-Pin

    25 x 11mm, Betriebstemperatur max.: 9 V, Abmessungen: 8 x 3.: 700 V, Basis-Emitter Spannung max.onsemi KSE13003H2ASTU THT, NPN Transistor 400 V / 1,5 A, TO-126 3-Pin, Verlustleistung max.

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    • onsemi KSE13003H2ASTU THT, NPN Transistor 400 V / 1,5 A, TO-126 3-Pin

    onsemi KSE13003H2ASTU THT, NPN Transistor 400 V / 1,5 A, TO-126 3-Pin

    25 x 11mm, Betriebstemperatur max.: 20 W, Gleichstromverstärkung min.

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