IXYS HiperFET, Polar IXFH110N10P N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 110 A 480 W, 3-Pin TO-247
About The : 15 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.IXYS HiperFET, Polar IXFH110N10P N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 110 A 480 W, 3-Pin TO-247, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max
IXYS HiperFET, Polar IXFH110N10P N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 110 A 480 W, 3-Pin TO-247, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 15 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 21.46mm, Länge: 16.26mm
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
IXYS HiperFET, Polar IXFH110N10P N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 110 A 480 W, 3-Pin TO-247
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Specifications of IXYS HiperFET, Polar IXFH110N10P N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 110 A 480 W, 3-Pin TO-247 | |
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