Vishay TrenchFET SQ2337ES-T1_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 2.2 A, 3-Pin TO-236
About The : 2.2 A, 3-Pin TO-236, Drain-Source-Widerstand max
Vishay TrenchFET SQ2337ES-T1_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 2.2 A, 3-Pin TO-236, Drain-Source-Widerstand max.: 0.314 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay TrenchFET SQ2337ES-T1_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 2.2 A, 3-Pin TO-236
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Specifications of Vishay TrenchFET SQ2337ES-T1_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 2.2 A, 3-Pin TO-236 | |
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