Onsemi IGBT / 80 A ±20V Max., 650 V 94 W, 3-Pin TO-3PF N-Kanal
About The 7 x 5.: +175 °C, Betriebstemperatur min
onsemi IGBT / 80 A ±20V max., 650 V 94 W, 3-Pin TO-3PF N-Kanal, Anzahl an Transistoren: 1, Montage-Typ: THT, Transistor-Konfiguration: Einfach, Abmessungen: 15.7 x 5.7 x 24.7mm, Nennleistung: 325mJ, Gate-Kapazität: 2590pF, Betriebstemperatur max.: +175 °C, Betriebstemperatur min.: –55 °C, MPN: FGAF40S65AQ
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > IGBT
Onsemi IGBT / 80 A ±20V Max., 650 V 94 W, 3-Pin TO-3PF N-Kanal
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Specifications of Onsemi IGBT / 80 A ±20V Max., 650 V 94 W, 3-Pin TO-3PF N-Kanal | |
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