ROHM R6024ENJ R6024ENJTL N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 24 A 245 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
About The : 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 320 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max
ROHM R6024ENJ R6024ENJTL N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 24 A 245 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 320 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±30 V, Länge: 10.4mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
ROHM R6024ENJ R6024ENJTL N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 24 A 245 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
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Specifications of ROHM R6024ENJ R6024ENJTL N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 24 A 245 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) | |
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