Onsemi QFET FQA8N100C N-Kanal, THT MOSFET 1000 V / 8 A 225 W, 3-Pin TO-3PN
About The 8mm.9mm, Länge: 15
onsemi QFET FQA8N100C N-Kanal, THT MOSFET 1000 V / 8 A 225 W, 3-Pin TO-3PN, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 1,45 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Höhe: 18.9mm, Länge: 15.8mm
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Onsemi QFET FQA8N100C N-Kanal, THT MOSFET 1000 V / 8 A 225 W, 3-Pin TO-3PN
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Specifications of Onsemi QFET FQA8N100C N-Kanal, THT MOSFET 1000 V / 8 A 225 W, 3-Pin TO-3PN | |
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