Infineon OptiMOS 3 IPP110N20N3GXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET Transistor 200 V / 88 A 300 W, 3-Pin TO-220
About The : 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 11 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max
Infineon OptiMOS 3 IPP110N20N3GXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET Transistor 200 V / 88 A 300 W, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 11 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.36mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon OptiMOS 3 IPP110N20N3GXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET Transistor 200 V / 88 A 300 W, 3-Pin TO-220
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Specifications of Infineon OptiMOS 3 IPP110N20N3GXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET Transistor 200 V / 88 A 300 W, 3-Pin TO-220 | |
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