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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Halbleiter
Diskrete Halbleiter
Suppressordioden TVS
Taiwan Semiconductor

Taiwan Semiconductor TVS-Diode Uni-Directional Einfach 72.7V 50V Min., 2-Pin, SMD 45V Max DO-214AB (SMC)

About The 15mm, MPN: SMCJ45A.7V 50V min

Taiwan Semiconductor TVS-Diode Uni-Directional Einfach 72.7V 50V min., 2-Pin, SMD 45V max DO-214AB (SMC), Höchstzulässige Pulsverlustleistung: 1500W, Impulsspitzen-Strom max.: 20.6A, Abmessungen: 7.15 x 6.25 x 2.75mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, Länge: 7.15mm, MPN: SMCJ45A

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Taiwan Semiconductor TVS-Diode Uni-Directional Einfach 72.7V 50V Min., 2-Pin, SMD 45V Max DO-214AB (SMC)

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Specifications of Taiwan Semiconductor TVS-Diode Uni-Directional Einfach 72.7V 50V Min., 2-Pin, SMD 45V Max DO-214AB (SMC)

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Taiwan Semiconductor TVS-Diode Uni-Directional Einfach 72.7V 50V Min., 2-Pin, SMD 45V Max DO-214AB (SMC)
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Rating :- 9.02 /10
Votes :- 8
Schaffner FN2070 EMV-Filter, 250 V ac, 25A, Gehäusemontage 11.6W, Bolzen, 1-phasig 0,734 mA / 400Hz Two Stage Zustände
  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Passive Bauelemente
  • EMV-Filter und -Schutz
  • Netzfilter
  • Schaffner
    • Samtec QTH Leiterplatten-Stiftleiste Gerade, 120-polig / 2-reihig, Raster 0.5mm, Platine-Platine,

    Samtec QTH Leiterplatten-Stiftleiste Gerade, 120-polig / 2-reihig, Raster 0.5mm, Platine-Platine,

    5mm, Platine-Platine,, Ummantelt/Nicht ummantelt: Ummantelt, Montagetyp: SMD, Anschlussart: Löten, Kontaktmaterial: Phosphor Bronze, Kontaktbeschichtung: Gold, Nennstrom: 2.0A, Betriebsspannung: 175,0 V, MPN: QTH-060-02-L-D-A-K.

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  • Leiterplatten Steckverbinder & Gehäuse
  • Leiterplatten Header
  • Samtec
    • Murata Power Solutions Murata MEV1 DC/DC-Wandler 1W 24 V dc IN, 5V dc OUT / 200mA 3kV dc isoliert

    Murata Power Solutions Murata MEV1 DC/DC-Wandler 1W 24 V dc IN, 5V dc OUT / 200mA 3kV dc isoliert

    : +85°C, Temperatur min.Murata Power Solutions Murata MEV1 DC/DC-Wandler 1W 24 V dc IN, 5V dc OUT / 200mA 3kV dc isoliert, Ausgangsspannung: 5V dc, Eingangsspannung: 21,6 → 26,4 V dc, Montagetyp: Durchsteckmontage, Isoliert: Ja, Gehäuse: SIP, Isolationsspannung: 3kV dc, Tiefe: 10.65mm, Temperatur max.

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  • Stromversorgungen & Transformatoren
  • Spannungswandler
  • DC,DC-Wandler
  • Murata Power Solutions
    • Infineon IGBT / 10 A ±20V max., 600 V 110 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal

    Infineon IGBT / 10 A ±20V max., 600 V 110 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal

    : +175 °C, Betriebstemperatur min.57mm, Betriebstemperatur max.45 x 4.Infineon IGBT / 10 A ±20V max.

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  • IGBT
  • Infineon
    • Infineon IGBT / 10 A ±20V max., 600 V 110 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal

    Infineon IGBT / 10 A ±20V max., 600 V 110 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal

    : +175 °C, Betriebstemperatur min., 600 V 110 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal, Montage-Typ: SMD, Schaltgeschwindigkeit: 1MHz, Transistor-Konfiguration: Einfach, Abmessungen: 10.

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