Vishay SiSS52DN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 162 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8S, Drain-Source-Widerstand max.: 0,00095 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 1 → 2.2V
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Vishay SiSS52DN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 162 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8S
Specifications of Vishay SiSS52DN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 162 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8S | |
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