Taiwan Semiconductor TSM2302CX RFG N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 2,8 A 900 MW, 3-Pin SOT-23
About The : –8 V, +8 V, Länge: 3.Taiwan Semiconductor TSM2302CX RFG N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 2,8 A 900 mW, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max
Taiwan Semiconductor TSM2302CX RFG N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 2,8 A 900 mW, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 65 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1.2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –8 V, +8 V, Länge: 3.05mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Taiwan Semiconductor TSM2302CX RFG N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 2,8 A 900 MW, 3-Pin SOT-23
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Specifications of Taiwan Semiconductor TSM2302CX RFG N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 2,8 A 900 MW, 3-Pin SOT-23 | |
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