ROHM RE1E002SP RE1E002SPTCL P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 250 MA 150 MW, 3-Pin SC-75
About The : 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.2V
ROHM RE1E002SP RE1E002SPTCL P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 250 mA 150 mW, 3-Pin SC-75, Gehäusegröße: SOT-416FL, Drain-Source-Widerstand max.: 2,4 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
ROHM RE1E002SP RE1E002SPTCL P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 250 MA 150 MW, 3-Pin SC-75
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Specifications of ROHM RE1E002SP RE1E002SPTCL P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 250 MA 150 MW, 3-Pin SC-75 | |
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