MagnaChip MDF11N60BTH N-Kanal, THT MOSFET 660 V / 11 A 49 W, 3-Pin TO-220F, Drain-Source-Widerstand max.: 550 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 10.71mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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MagnaChip MDF11N60BTH N-Kanal, THT MOSFET 660 V / 11 A 49 W, 3-Pin TO-220F
Specifications of MagnaChip MDF11N60BTH N-Kanal, THT MOSFET 660 V / 11 A 49 W, 3-Pin TO-220F | |
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