Infineon HEXFET IRF7507TRPBF N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 1,7 A; 2,4 A 1,25 W, 8-Pin MSOP
About The : -12 V, +12 V, Länge: 3mm, Betriebstemperatur max.: 140 mΩ, 270 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max
Infineon HEXFET IRF7507TRPBF N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 1,7 A; 2,4 A 1,25 W, 8-Pin MSOP, Channel-Typ: N, P, Drain-Source-Widerstand max.: 140 mΩ, 270 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 0.7V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.: -12 V, +12 V, Länge: 3mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon HEXFET IRF7507TRPBF N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 1,7 A; 2,4 A 1,25 W, 8-Pin MSOP
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Specifications of Infineon HEXFET IRF7507TRPBF N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 1,7 A; 2,4 A 1,25 W, 8-Pin MSOP | |
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