Onsemi IGBT / 80 A ±20V Max., 650 V 238 W, 3-Pin D2PAK N-Kanal
About The 3mJ, Gate-Kapazität: 2495pF, Betriebstemperatur max.67 x 9
onsemi IGBT / 80 A ±20V max., 650 V 238 W, 3-Pin D2PAK N-Kanal, Anzahl an Transistoren: 1, Montage-Typ: SMD, Transistor-Konfiguration: Einfach, Abmessungen: 10.67 x 9.65 x 4.58mm, Automobilstandard: AEC-Q101, Nennleistung: 22.3mJ, Gate-Kapazität: 2495pF, Betriebstemperatur max.: +175 °C, MPN: AFGB40T65SQDN
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > IGBT
Onsemi IGBT / 80 A ±20V Max., 650 V 238 W, 3-Pin D2PAK N-Kanal
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Specifications of Onsemi IGBT / 80 A ±20V Max., 650 V 238 W, 3-Pin D2PAK N-Kanal | |
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