Vishay E Series N-Kanal, THT MOSFET 700 V / 85 A, 3-Pin Super-247
About The : 4V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: SiHS90N65E-GE3.: 0,029 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max
Vishay E Series N-Kanal, THT MOSFET 700 V / 85 A, 3-Pin Super-247, Drain-Source-Widerstand max.: 0,029 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: SiHS90N65E-GE3
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay E Series N-Kanal, THT MOSFET 700 V / 85 A, 3-Pin Super-247
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Specifications of Vishay E Series N-Kanal, THT MOSFET 700 V / 85 A, 3-Pin Super-247 | |
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