Onsemi FDG6303N N-Kanal Dual, SMD MOSFET 25 V / 500 MA 300 MW, 6-Pin SOT-363
About The : +150 °C.65V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max
onsemi FDG6303N N-Kanal Dual, SMD MOSFET 25 V / 500 mA 300 mW, 6-Pin SOT-363, Drain-Source-Widerstand max.: 770 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 0.65V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.: +8 V, Länge: 2mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Onsemi FDG6303N N-Kanal Dual, SMD MOSFET 25 V / 500 MA 300 MW, 6-Pin SOT-363
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Specifications of Onsemi FDG6303N N-Kanal Dual, SMD MOSFET 25 V / 500 MA 300 MW, 6-Pin SOT-363 | |
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