Onsemi NTH027N65S3F NTH027N65S3F-F155 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 75 A 595 W, 3-Pin TO-247
About The : 5V, Gate-Schwellenspannung min.: 27,4 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max
onsemi NTH027N65S3F NTH027N65S3F-F155 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 75 A 595 W, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.: 27,4 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±30 V, Länge: 15.87mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Onsemi NTH027N65S3F NTH027N65S3F-F155 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 75 A 595 W, 3-Pin TO-247
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Specifications of Onsemi NTH027N65S3F NTH027N65S3F-F155 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 75 A 595 W, 3-Pin TO-247 | |
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