Infineon SIPMOS BSS126H6327XTSA2 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 21 MA 500 MW, 3-Pin SOT-23
About The 9mm, Betriebstemperatur max.: 1
Infineon SIPMOS BSS126H6327XTSA2 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 21 mA 500 mW, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 700 Ω, Channel-Modus: Depletion, Gate-Schwellenspannung max.: 1.6V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.7V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 2.9mm, Betriebstemperatur max.: 150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon SIPMOS BSS126H6327XTSA2 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 21 MA 500 MW, 3-Pin SOT-23
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Specifications of Infineon SIPMOS BSS126H6327XTSA2 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 21 MA 500 MW, 3-Pin SOT-23 | |
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