Vishay TrenchFET SI3477DV-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 8 A 4,2 W, 6-Pin TSOP-6
About The 4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.1mm
Vishay TrenchFET SI3477DV-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 8 A 4,2 W, 6-Pin TSOP-6, Drain-Source-Widerstand max.: 33 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 0.4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -10 V, +10 V, Höhe: 1mm, Länge: 3.1mm
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay TrenchFET SI3477DV-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 8 A 4,2 W, 6-Pin TSOP-6
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Specifications of Vishay TrenchFET SI3477DV-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 8 A 4,2 W, 6-Pin TSOP-6 | |
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