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Baumer M8 Näherungssensor Analog 8 → 36 V Dc / 100 MA, Zylindrisch 3 Mm, IP67

About The .: 36V, Montagetyp: Bündig, Gehäusematerial: Edelstahl, MPN: IR08

Baumer M8 Näherungssensor analog 8 → 36 V dc / 100 mA, zylindrisch 3 mm, IP67, Sensortechnik: Induktiv, Gehäuseausführung: Zylinderförmig, Gewindegröße: M8 x 1, Ausgangstyp: Analog, IO-Link, Anschlusstyp: 3-poliger M8-Steckverbinder, Länge: 46mm, Breite: 8mm, Gleichspannung max.: 36V, Montagetyp: Bündig, Gehäusematerial: Edelstahl, MPN: IR08.D03L-F46.GP1I.7SL

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Baumer M8 Näherungssensor Analog 8 → 36 V Dc / 100 MA, Zylindrisch 3 Mm, IP67

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Specifications of Baumer M8 Näherungssensor Analog 8 → 36 V Dc / 100 MA, Zylindrisch 3 Mm, IP67

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TE Connectivity Buchse Koaxialsteckverbinder UMCC-Steckverbinder, SMD, Löt-Anschluss

TE Connectivity Buchse Koaxialsteckverbinder UMCC-Steckverbinder, SMD, Löt-Anschluss

TE Connectivity Buchse Koaxialsteckverbinder UMCC-Steckverbinder, SMD, Löt-Anschluss, Anschlussart: Löten, Kontaktmaterial: Kupferlegierung, Kontaktbeschichtung: Gold, Nickel, MPN: 1909763-1.

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    • Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 185,6 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH

    Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 185,6 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH

    : 0,00106 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.2V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: SiSS54DN-T1-GE3.Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 185,6 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH, Drain-Source-Widerstand max.

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    • Himalayan 4412 Unisex Sicherheitsstiefel Hellbraun, mit Zehen-Schutzkappe EN20345 S3, Größe 38 / UK 5

    Himalayan 4412 Unisex Sicherheitsstiefel Hellbraun, mit Zehen-Schutzkappe EN20345 S3, Größe 38 / UK 5

    Himalayan 4412 Unisex Sicherheitsstiefel Hellbraun, mit Zehen-Schutzkappe EN20345 S3, Größe 38 / UK 5, Zehenschutzkappe Typ: Nicht metallisch, Zehenschutzkappe: Ja, Zusätzliche Sicherheitsvorrichtungen: HRO, Zwischensohle: Verbundstoff, Rutschfestigkeit: SRC, MPN: 4412TN050.

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    Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 67,4 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH

    Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 67,4 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH, Drain-Source-Widerstand max.2V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: SiSH536DN-T1-GE3.: 0,00325 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.

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    Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 67,4 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH

    2V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: SiSH536DN-T1-GE3.Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 67,4 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH, Drain-Source-Widerstand max.

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