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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Halbleiter
Stromversorgung
Pulsbreitenmodulation
onsemi

Onsemi PWM-Controller 500 KHz 1 A 1-Ausg.

About The 44mm, Tastverhältnis max., Steuerart: Strom, Abfallzeit: 50ns, Montage-Typ: THT, Gehäusegröße: PDIP, Pinanzahl: 8, Topologie: Boost, Flyback, Abmessungen: 10

onsemi PWM-Controller 500 kHz 1 A 1-Ausg., Steuerart: Strom, Abfallzeit: 50ns, Montage-Typ: THT, Gehäusegröße: PDIP, Pinanzahl: 8, Topologie: Boost, Flyback, Abmessungen: 10.16 x 6.6 x 3.44mm, Tastverhältnis max.: 48%, Länge: 10.16mm, PWM Controller-Typ: Strommodus, Breite: 6.6mm, MPN: UC3845BNG

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Onsemi PWM-Controller 500 KHz 1 A 1-Ausg.

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Hammond Frontplatte, 16.88 x 14.88mm, für PCJ181610L PJ
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    • Vishay E SIHA15N80AE-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 6 A, 3-Pin TO-220 FP

    Vishay E SIHA15N80AE-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 6 A, 3-Pin TO-220 FP

    Vishay E SIHA15N80AE-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 6 A, 3-Pin TO-220 FP.

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    • Nexperia Zenerdiode Einfach 1 Element/Chip SMD 16V / 250 mW max, SOT-23 (TO-236AB) 3-Pin

    Nexperia Zenerdiode Einfach 1 Element/Chip SMD 16V / 250 mW max, SOT-23 (TO-236AB) 3-Pin

    : 50nA, Abmessungen: 3 x 1.: +150 °C, Betriebstemperatur min.

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    • STMicroelectronics SCTH35 SCTH35N65G2V-7 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 45 A, 7-Pin H2PAK-7

    STMicroelectronics SCTH35 SCTH35N65G2V-7 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 45 A, 7-Pin H2PAK-7

    2V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: SiC.STMicroelectronics SCTH35 SCTH35N65G2V-7 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 45 A, 7-Pin H2PAK-7, Drain-Source-Widerstand max.

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    STMicroelectronics SCTH35 SCTH35N65G2V-7 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 45 A, 7-Pin H2PAK-7, Drain-Source-Widerstand max.: 3.2V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: SiC.

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