Infineon OptiMOS 3 IPA105N15N3GXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 150 V / 37 A 40,5 W, 3-Pin TO-220 FP, Drain-Source-Widerstand max.: 11,1 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.65mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C
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Infineon OptiMOS 3 IPA105N15N3GXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 150 V / 37 A 40,5 W, 3-Pin TO-220 FP
Specifications of Infineon OptiMOS 3 IPA105N15N3GXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 150 V / 37 A 40,5 W, 3-Pin TO-220 FP | |
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