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Vishay THT Ultraschneller Gleichrichter Diode Gemeinsame Kathode, 200V / 16A, 3-Pin TO-220AB

About The Vishay THT Ultraschneller Gleichrichter Diode Gemeinsame Kathode, 200V / 16A, 3-Pin TO-220AB, Gleichrichter-Typ: Universal, Maximaler Spannungsabfall: 950mV, Diodentechnologie: Siliziumverbindung, Spitzen-Sperrspannung Erholzeit: 35ns, Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: 200A, MPN: FEP16DT-E3

Vishay THT Ultraschneller Gleichrichter Diode Gemeinsame Kathode, 200V / 16A, 3-Pin TO-220AB, Gleichrichter-Typ: Universal, Maximaler Spannungsabfall: 950mV, Diodentechnologie: Siliziumverbindung, Spitzen-Sperrspannung Erholzeit: 35ns, Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: 200A, MPN: FEP16DT-E3

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Specifications of Vishay THT Ultraschneller Gleichrichter Diode Gemeinsame Kathode, 200V / 16A, 3-Pin TO-220AB

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Votes :- 5
Parker Edelstahl-Rohrverschraubung Bogen 1/4Zoll 1/4Zoll

Parker Edelstahl-Rohrverschraubung Bogen 1/4Zoll 1/4Zoll

Parker Edelstahl-Rohrverschraubung Bogen 1/4Zoll 1/4Zoll, Anschlussrichtung: 90°, MPN: 4EE4-316.

  • Mechanik & Fluidtechnik und Werkzeuge
  • Rohrleitungen & Rohrverbinder
  • Rohre und Winkelstücke
  • Gewindefittings aus Edelstahl
  • Parker
    • Microchip SPLD (Simple Programmable Logic Device) ATF16V8C 8 Makrozellen 18 I/O 5ns EECMOS 20-Pin PLCC

    Microchip SPLD (Simple Programmable Logic Device) ATF16V8C 8 Makrozellen 18 I/O 5ns EECMOS 20-Pin PLCC

    06mm, Länge: 9.04 x 4.: +85 °C, MPN: ATF16V8C-7JU.04mm, Arbeitsspannnung max.

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  • Programmierbare Logik-ICs
  • SPLDs
  • Microchip
    • EPCOS SIMID Drosselspule, 180 μH 350mA AEC-Q200 mit Ferrit-Kern, 2220 (5650M) Gehäuse 5.6mm / ±10%, 4.2MHz

    EPCOS SIMID Drosselspule, 180 μH 350mA AEC-Q200 mit Ferrit-Kern, 2220 (5650M) Gehäuse 5.6mm / ±10%, 4.2MHz

    6mm / ±10%, 4.2MHz, MPN: B82442T1184K000.EPCOS SIMID Drosselspule, 180 μH 350mA AEC-Q200 mit Ferrit-Kern, 2220 (5650M) Gehäuse 5.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Passive Bauelemente
  • Induktivitäten
  • SMD-Induktivität
  • EPCOS
    • Vishay CRCW,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 820Ω ±1% / 0.5W ±100ppm/K, 0805 (2012M) Gehäuse

    Vishay CRCW,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 820Ω ±1% / 0.5W ±100ppm/K, 0805 (2012M) Gehäuse

    : +155°C, MPN: CRCW0805820RFKEAHP.5W ±100ppm/K, 0805 (2012M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Passive Bauelemente
  • Festwiderstände
  • SMD-Widerstände
  • Vishay
    • Vishay CRCW,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 820Ω ±1% / 0.5W ±100ppm/K, 0805 (2012M) Gehäuse

    Vishay CRCW,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 820Ω ±1% / 0.5W ±100ppm/K, 0805 (2012M) Gehäuse

    : -55°C, Betriebstemperatur max.5W ±100ppm/K, 0805 (2012M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.

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  • Passive Bauelemente
  • Festwiderstände
  • SMD-Widerstände
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