Microchip LND150N3-G N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 30 MA 740 MW, 3-Pin TO-92
About The 2mm, Betriebstemperatur max.Microchip LND150N3-G N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 30 mA 740 mW, 3-Pin TO-92, Drain-Source-Widerstand max
Microchip LND150N3-G N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 30 mA 740 mW, 3-Pin TO-92, Drain-Source-Widerstand max.: 1 kΩ, Channel-Modus: Depletion, Gate-Schwellenspannung max.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 5.2mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Microchip LND150N3-G N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 30 MA 740 MW, 3-Pin TO-92
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Specifications of Microchip LND150N3-G N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 30 MA 740 MW, 3-Pin TO-92 | |
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