Vishay IRFI640GPBF N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 9,8 A 40 W, 3-Pin TO-220FP, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 180 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 9.8mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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Vishay IRFI640GPBF N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 9,8 A 40 W, 3-Pin TO-220FP
Specifications of Vishay IRFI640GPBF N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 9,8 A 40 W, 3-Pin TO-220FP | |
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