Vishay TrenchFET SI4154DY-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 36 A, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0039 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V
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Vishay TrenchFET SI4154DY-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 36 A, 8-Pin SOIC
Specifications of Vishay TrenchFET SI4154DY-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 36 A, 8-Pin SOIC | |
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