STMicroelectronics MDmesh M2 STB13N60M2 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 11 A 110 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
About The : 4V, Gate-Schwellenspannung min.STMicroelectronics MDmesh M2 STB13N60M2 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 11 A 110 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max
STMicroelectronics MDmesh M2 STB13N60M2 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 11 A 110 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 380 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –25 V, +25 V, Höhe: 4.6mm
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
STMicroelectronics MDmesh M2 STB13N60M2 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 11 A 110 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Specifications of STMicroelectronics MDmesh M2 STB13N60M2 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 11 A 110 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) | |
|---|---|
| Category | |
| Instock | instock |
