DiodesZetex DMN2016UTS-13 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 8,6 A 880 MW, 8-Pin TSSOP
About The 025mm, Länge: 4.: –8 V, +8 V, Höhe: 1
DiodesZetex DMN2016UTS-13 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 8,6 A 880 mW, 8-Pin TSSOP, Drain-Source-Widerstand max.: 16,5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.: –8 V, +8 V, Höhe: 1.025mm, Länge: 4.5mm
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
DiodesZetex DMN2016UTS-13 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 8,6 A 880 MW, 8-Pin TSSOP
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Specifications of DiodesZetex DMN2016UTS-13 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 8,6 A 880 MW, 8-Pin TSSOP | |
|---|---|
| Category | |
| Instock | instock |
